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介電常數(shù)測試儀使用方法

更新時間:2014-09-18      點擊次數(shù):3685

介電常數(shù)測試儀

4 介電常數(shù)測試儀使用方法

4.1 ZJD-B介電常數(shù)測試儀裝置圖示:

1 圓筒電容器。  2 平板電容器。  3圓筒測微桿。

4 平板測微桿。  5 圓筒測微頭。  

4.2 被測樣品的準(zhǔn)備:

被測樣品要求為圓形,直徑38~42 mm配ZJD-B。這是減小因樣品邊緣泄漏和邊緣電場引起的誤差的有效辦法。樣品厚度可在1~5mm之間,如太薄或太厚則測試精度就會下降,樣品要盡可能平直。

注意:在操作中要十分注意樣品的清潔,要戴手套或用鑷子取放樣品。

下面推薦一種能提高測試性的方法:準(zhǔn)備二片厚0.05mm的圓形錫膜。直徑和平板電容器極片一致,錫膜兩面均勻地涂上一層薄薄的凡士林,它起粘附作用,又能排除接觸面之間殘余空氣。把錫膜再粘在平板電容器兩個極片上,粘好后,極片呈鏡面狀為佳。然后,放上被測樣品。

4.3 介電常數(shù)測試儀測試前準(zhǔn)備:

先要詳細(xì)了解本裝置配用Q表的使用方法,操作時,要避免人體感應(yīng)的影響,即調(diào)節(jié)本裝置時,手臂盡可能離開本裝置。

持不變。試樣電容近似于△C,即是可變電容器電容的變化量。

測量誤差主要來自二次指示器的標(biāo)定刻度,以及在連線中尤其是在可變電容器和試樣的連線中所引入的阻抗。

4.3.1 檢查Q表是否正常工作

a ) 將250-100μH電感器(一般先用250μH),接在Q表“Lx”接線柱上。

b) 頻率調(diào)至1MHz。

c ) 微調(diào)電容器置于“0pF”處(ZJD-B無微調(diào)電容),調(diào)節(jié)主調(diào)電容器,使其諧振,Q值應(yīng)指示在160左右,調(diào)諧電容值刻度在100pF附近,表示Q表處于正常工作狀態(tài)。

4.4 國標(biāo)GB/T 1409-2006,推薦Q表法測試絕緣材料的介質(zhì)損耗因數(shù)和介電常數(shù)程序:

4.4.1 先完成4.3規(guī)定的測試前準(zhǔn)備基礎(chǔ)上進行正常測試。

4.4.2 把本測試裝置ZJD-B插到Q表測試回路的“Cx”二個端子上(如下圖)。把圓筒電容器置于12.5mm處,平板電容器置于3 mm處。

4.4.3 把被測樣品放置于二極片之間,到二極片夾住樣品止。

4.4.4 調(diào)節(jié)Q表的調(diào)諧電容器,使其諧振,此時讀取Q值記為Qt,調(diào)諧電容的刻度記為Ct。

4.4.5 松開平板電容器極片,取出被測樣品,但平板電容器仍在置于有樣品時的刻度處,保持極片距離和有樣品時一致。

4.4.6 再次調(diào)節(jié)Q表的調(diào)諧電容器,再次諧振,此時讀取的Q值為Qo(Qo總是比Qt高,對絕緣材料,二者較接近,要仔細(xì)調(diào)諧,并要利用Q表的Q記憶功能,得到正確的Q值)。調(diào)諧電容的刻度記為C0(C0總是比Ct大)對低介電常數(shù)材料,電容變化值(ΔC)較小,可考慮使用Q表的ΔC調(diào)節(jié)旋鈕或用ZH914,ZH915測試裝置上圓筒電容器的讀數(shù)變化換算成ΔC,以提高測試精度。

4.4.7試樣的損耗因數(shù)計算公式為:

 試樣的介電常數(shù)測試儀計算公式為:

式中:

C0:電路中的總電容,包括電壓表以及電感線圈本身的電容,一般以無試樣時,Q表諧振電容值為C0(即Q表調(diào)諧電容指示值)。

△C:是移除試樣后再諧振時電容值(C0)與有樣品時調(diào)諧電容值(C0)之差,即:△C= C0- Ct(有試樣時測得電容值)

Cp:極片空氣介質(zhì)結(jié)構(gòu)電容,Cp= r 2 /3.6d ,式中r為測試夾具平板電極的半經(jīng),對ZJD-B而言r =1.9。所以當(dāng)用厚度(d)為2mm樣品測試時,用ZJD-B測Cp=5pF。同樣可以查看附圖1板間隙曲線得到Cp值。

Qt:有試樣時測得Q值。  Qo:無試樣時測得Q值。

4.5 另一種介質(zhì)損耗因數(shù)和介電常數(shù)測試儀方法(變電納法):

4.5.1調(diào)節(jié)平板電容器測微桿,使二極片相接為止,讀取刻度值記為D0。這時測微桿應(yīng)處在0mm處附近。

4.5.2再松開二極片,把被測樣品插入二極片之間,調(diào)節(jié)平板電容器測微桿,到二極片夾住樣品止。這時能讀取新的刻度值,記為D1,這時樣品厚度D2=D1-D0。

4.5.3把圓筒電容器置于10mm處。

4.5.4設(shè)置Q表的測試頻率,例如1MHz,調(diào)節(jié)Q表調(diào)諧電容,使之諧振,讀得Q值。

4.5.5 先順時針方向,后逆時針方向,調(diào)節(jié)圓筒電容器,讀取當(dāng)Q表指示Q值為原值的一半時測微桿上二個刻度值,取這二個值之差,記為M1。舉例:諧振時Q值為200,先順時針方向轉(zhuǎn),Q值下降呈100時,圓筒刻度計為8mm,再逆時針轉(zhuǎn)至再次出現(xiàn)Q值降至100時,刻度計為11mm,測二值之差M1=3。

4.5.6再調(diào)節(jié)圓筒電容器,使Q表再次諧振。即圓筒電容器重新回到10mm處。

4.5.7取出平板電容器中的樣品,這時Q表又失諧,調(diào)節(jié)平板電容器,使再諧振,讀取測微桿上的讀值D3,其變化值為D4=D3-D0。

4.5.8 和4.4.5款操作一樣,得到新的二個值之差,記為M2,M2總比M1小。

4.5.9 計算測試結(jié)果:

被測樣品的介電常數(shù):

∑=D2/D4

被測樣品的介質(zhì)損耗因數(shù):

tanδ=K(M1-M2)/2Cp 

式中:K為圓筒電容器線性變化率,應(yīng)為0.33/mm。

      Cp 見附圖1

一般按以上公式計算的結(jié)果,其精度和重復(fù)性是能滿足的。但對介電常數(shù)大的被測樣品(即樣品從平板樣品放入和取出平板電容器刻度值變化較大),邊緣效應(yīng)電容對測試會有較顯著的影響。這時可按下列公式計算:

∑=(C2+CF2-CF)/C1

tanδ=K(M1-M2)/3.46(C2+CF2-CF1)

式中:C1=D1刻度時平板電容器空氣介質(zhì)電容量(見附圖一)

C2=D3刻度時平板電容器空氣介質(zhì)電容量(見附圖一)

CF1=D1刻度時的邊緣效應(yīng)電容量(見附圖二)

CF2=D3刻度時的邊緣效應(yīng)電容量(見附圖二)

4.6附錄:國標(biāo)GB/T 1409-2006“測量電氣絕緣材料在工頻,音頻,高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)”和美標(biāo)ASTD D150的測試方法摘錄如下:

  介電常數(shù)測試儀諧振法(Q表法)

諧振法或Q表法是在10kHz~100MHz的頻率范圍內(nèi)使用。它的原理是基于在一個諧振電路中感應(yīng)一個已知的弱小電壓時,測量在該電路出現(xiàn)的電壓。下圖表示這種電路的常用形式,在線路中通過一個共用電阻R將振蕩器信號耦合到調(diào)諧回路上,也可用其他的耦合方法。

    介電常數(shù)測試儀諧振法的電原理圖

操作程序是在規(guī)定的頻率下將輸入電壓或電流調(diào)節(jié)到一個已知值,然后調(diào)節(jié)諧振電路達到zui大諧振,觀察此時的電壓Uo(相應(yīng)為Qo)。然后將試樣接到相應(yīng)的接線端上,再調(diào)節(jié)可變電容使電路重新諧振,觀察新的電壓U1(相應(yīng)為Qt)的值。

持不變。試樣電容近似于△C,即是可變電容器電容的變化量。

測量誤差主要來自二次指示器的標(biāo)定刻度,以及在連線中尤其是在可變電容器和試樣的連線中所引入的阻抗。

4.7 介電常數(shù)測試儀其他應(yīng)用使用方法:

使用本測試裝置和Q表配用,對絕緣材料以及其它高阻性能的薄材,例如:紙張、木材、粉壓片料等,進行相對測量。其測試方法就非常簡便、實用。采取被測樣品和標(biāo)準(zhǔn)樣品相比較方法,就能靈敏地區(qū)別二者之間的細(xì)微差別,例如含水量,配用原料變動等等。

測試時先把標(biāo)準(zhǔn)樣品放入平板電容器,調(diào)節(jié)Q表頻率,諧振后讀得Q值。再換上被測樣品,調(diào)節(jié)圓筒電容器,再諧振,看Q值變化,如Q值變化很小,說明標(biāo)準(zhǔn)樣品和被測樣品高頻損耗值一致,反之,說明二者性能有區(qū)別,如圓筒電容器調(diào)節(jié)不能再諧振,通過調(diào)節(jié)Q表頻率才能諧振,且頻率變化較大。說明被測樣品和標(biāo)準(zhǔn)樣品的配用原材料使其介電常數(shù)相差很大。

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